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IRF9Z34NS

P 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF9Z34NPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    TO220

  • VDS max:

    -55 V

  • RDS (on) @10V max:

    100 mΩ

  • ID @25°C max:

    -19 A

  • QG typ @10V:

    23.3 nC

  • Polarity:

    P

  • VGS(th) min:

    -2 V

  • VGS(th) max:

    -4 V

  • VGS(th):

    -3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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