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IRF9Z34NSPBF	文件：1.1075 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34NSTRRPBF	文件：172.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; \n优势:\n• RoHS Compliant\n• Low RDS(on)\n• Industry-leading quality\n• Dynamic dv/dt Rating\n• Fast Switching\n• Fully Avalanche Rated\n• 175°C Operating Temperature\n• P-Channel MOSFET\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF9Z34NL	文件：1.19237 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z34NL	文件：273.72 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z34NPBF_15	文件：246.05 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34NS	文件：300 bytes Page：1 Pages	-55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF9Z34NS	文件：931.22 Kbytes Page：7 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF9Z34NS	文件：1.07424 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z34NS	文件：298.08 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

技术参数

OPN：
IRF9Z34NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
-55 V
RDS (on) @10V max：
100 mΩ
ID @25°C max：
-19 A
QG typ @10V：
23.3 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
VGS(th)：
-3 V
Technology：
IR MOSFET™

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