Advanced Process Technology

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文件：172.98 Kbytes 页数：11 Pages

IRF

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件：273.72 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Advanced Process Technology

文件：1.19237 Mbytes 页数：10 Pages

KERSEMI

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：246.05 Kbytes 页数：9 Pages

IRF

丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc P-Channel MOSFET Transistor

文件：298.08 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

丝印：D2PAK；Package：TO-263；P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：931.22 Kbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Advanced Process Technology

文件：1.07424 Mbytes 页数：10 Pages

KERSEMI

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：1.10846 Mbytes 页数：11 Pages

IRF

-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET;

Infineon

英飞凌

-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package

\n优势:\n• RoHS Compliant\n• Low RDS(on)\n• Industry-leading quality\n• Dynamic dv/dt Rating\n• Fast Switching\n• Fully Avalanche Rated\n• 175°C Operating Temperature\n• P-Channel MOSFET;

Infineon

英飞凌