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IRFB4710

Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)

Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Motor Control ● Uninterru

文件:245.14 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFB4710

N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.68 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFB4710

采用 TO-220 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• N 通道 MOSFET;

Infineon

英飞凌

IRFB4710PBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件:667.87 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFB4710PBF

High frequency DC-DC converters

文件:668.83 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFB4710PBF_15

High frequency DC-DC converters

文件:668.83 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

技术参数

  • OPN:

    IRFB4710PBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    TO220

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    14 mΩ

  • ID @25°C max:

    75 A

  • QG typ @10V:

    110 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    3.5 V

  • VGS(th) max:

    5.5 V

  • VGS(th):

    4.5 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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TO-220
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更多IRFB4710供应商 更新时间2025-10-10 17:40:00