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Infineon(英飞凌)TO-220AB

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深圳市联世界科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-220AB

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Infineon(英飞凌)TO-220AB

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全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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全新原装正品价格最实惠 假一赔百

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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ir原厂封装

50000

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原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司

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天津市博通航睿技术有限公司

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Infineon Technologies原装

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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原装优势主营型号-可开原型号增税票

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INFINEONTO-220

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRFB41N15D功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFB41N15DHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

IRFB41N15DPBF功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube