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IRF830B	文件：888.87 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF830B	文件：1.61271 Mbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF830B	文件：296.71 Kbytes Page：8 Pages	Reduced capacitive switching losses FEATURES •Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) •Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830B	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830B_V01	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRF830BPBF-BE3	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF830B
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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