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IRF840PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipati

文件:135.24 Kbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF840PBF

HEXFET POWER MOSFET

文件:895.33 Kbytes 页数:7 Pages

IRF

IRF840PBF

8.8A,500V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET

文件:994.12 Kbytes 页数:6 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

IRF840PBF

MOS(场效应管)

Vishay

威世

IRF840PBF

8.8A,500V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET

ThinkiSemi

思祁半导体

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    500V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    850 mΩ @ 4.8A,10V

  • 类型:

    N 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    125W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY
10+11+
TO220
211913
原装正品现货 特价支持实单
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VISHAY
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TO-220
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保证进口原装现货假一赔十
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TO-220
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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2020+
TO-220
22000
全新原装正品 现货库存 价格优势
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VISHAY/威世
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全新原装的现货
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100%原装正品现货
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更多IRF840PBF供应商 更新时间2026-1-21 15:02:00