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IRFD9210	文件：171.48 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-0.40A) DESCRIPTION The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power HEXFET design archieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. • D 文件：171.48 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFD9210	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-0.40A)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFD9210_V01	文件：797.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • For automatic insertion • End stackable • P-channel • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION The power MOSFETs technolo 文件：797.73 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFD9210PBF	文件：1.45559 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFETs technology is the key to Vishay advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power MOSFETs design archieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The 4 pin DIP 文件：1.45559 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFD9210PBF	文件：1.75197 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power HEXFET design archieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. • D 文件：1.75197 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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详细参数

型号：
IRFD9210
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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