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IRFD9210规格书详情
DESCRIPTION
The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power HEXFET design archieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• For Automatic Insertion
• End Stackable
• P-Channel
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
产品属性
- 型号：
IRFD9210
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
15 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
HVMDIP4 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IR |
24+ |
DIP4 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
0414+ |
DIP-4 |
13000 |
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询价 | ||
VISHAY |
21+ |
DIP4 |
2236 |
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IR |
23+ |
DIP-4 |
90153 |
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询价 | ||
VISHAY |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
IR |
23+ |
NA |
14155 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
IR |
2016+ |
DIP-4 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
DIP-4 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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