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IRFD9113规格书详情
描述 Description
These are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation.
特性 Features
• -0.6A and -07A, -80V and -100V
• rDS(ON) = 1.2Ω and 1.6Ω
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334, Guldelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
产品属性
- 型号：
IRFD9113
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
2022+ |
4-DIP(0.300 |
38550 |
询价 | |||
TI |
25+ |
DIP-4 |
20948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 | ||
IRF |
23+ |
DIP4 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
IR |
24+ |
原厂封装 |
6000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
DIP |
6688 |
4 |
现货库存 |
询价 | ||
TI |
25+ |
DIP-4 |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
DIP4 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOP |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
00+ |
DIP-4P |
188 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
SILICONIX |
24+/25+ |
200 |
原装正品现货库存价优 |
询价 |
