IRFD9110中文资料HARRIS数据手册PDF规格书
IRFD9110规格书详情
描述 Description
These are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation.
特性 Features
• -0.6A and -07A, -80V and -100V
• rDS(ON) = 1.2Ω and 1.6Ω
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334, Guldelines for Soldering Surface Mount
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产品属性
- 型号：
IRFD9110
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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