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IRF9956	文件：107.92 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：107.92 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956	文件：475.86 Kbytes Page：7 Pages	30V 2N-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated Lead-Free VDS (V) =30V ID = 2.2A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：475.86 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF9956TR	文件：475.86 Kbytes Page：7 Pages	丝印：IRF9956；Package：SOP-8；30V 2N-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated Lead-Free VDS (V) =30V ID = 2.2A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：475.86 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF9956	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 30V 双 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 双 N 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF9956PBF	文件：169.99 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：169.99 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956PBF	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE 文件：175.44 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956PBF_15	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE 文件：175.44 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956TRPBF	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE 文件：175.44 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF9956TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
100 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
200 mΩ
ID @25°C max：
3.5 A
QG typ @10V：
6.9 nC
Polarity：
N+N/N+N
VGS(th) min：
1 V
Technology：
IR MOSFET™

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