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IRF9956TR	文件：475.86 Kbytes Page：7 Pages	丝印：IRF9956；Package：SOP-8；30V 2N-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated Lead-Free VDS (V) =30V ID = 2.2A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：475.86 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF9956TR	文件：475.86 Kbytes Page：7 Pages	丝印：IRF9956；Package：SOP-8；30V 2N-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated Lead-Free VDS (V) =30V ID = 2.2A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：475.86 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF9956	文件：107.92 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：107.92 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956	文件：475.86 Kbytes Page：7 Pages	30V 2N-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated Lead-Free VDS (V) =30V ID = 2.2A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：475.86 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF9956PBF	文件：169.99 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：169.99 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956PBF	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE 文件：175.44 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956PBF_15	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE 文件：175.44 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956TRPBF	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE 文件：175.44 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF9956
功能描述：
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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