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IRFL4105	文件：577.74 Kbytes Page：6 Pages	丝印：IRFL4105；Package：SOT-223；60V N-Channel IRFL4105 General Description These logic level N-Channel enhancement This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation modes. These devices are particula 文件：577.74 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
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IRFL4105	文件：168.77 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=3.7A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：168.77 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL4105	文件：827.7 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description The SOT-223 package is designed for surface-mount using vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pickand-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enla 文件：827.7 Kbytes 页数：9 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFL4105PBF	文件：158.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：158.56 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL4105PBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：163.88 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFL4105PBF	文件：498.91 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：498.91 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFL4105PBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：163.88 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL4105PBF_15	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：163.88 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL4105TRPBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：163.88 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRFL4105
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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