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IRFL4105规格书详情
General Description
These logic level N-Channel enhancement This very
high density process is especially tailored to
minimize on-state resistance and provide
superior
switching performance, and withstand high
energy pulse
in the avalanche and commutation
modes.
These devices are particularly suited for
low voltage applications such as DC motor control
and DC/DC conversion where fast switching, low inline
power loss, and resistance to transients are
needed.
特性 Features
Low drive requirements allowing operation directly from logic
drivers. VGS(TH) < 2V.
High density cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package.
VDS (V) = 60V
RDS(ON) < 100mΩ (V GS = 10V)
RDS(ON)
产品属性
- 型号：
IRFL4105
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
SOT-223 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
IOR |
24+ |
SOT22 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOT-223 |
133000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOT-223 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
TO-223 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
IR |
25+ |
SOT-223 |
20300 |
IR原装特价IRFL4105即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
IR |
25+ |
SOT-223 |
3500 |
福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
SOT-223 |
115000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
IR |
1925+ |
SOT-223 |
12500 |
原装现货价格优势可供更多可出样 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOT223 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
