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IRLR8726TR	文件：474.45 Kbytes Page：7 Pages	丝印：IRLR8726；Package：TO-252；N-Channel MOSFET Features VDS (V)=30V RDS(ON) 5.8m (VGS = 10V) RDS(ON) 8 m (VGS = 4.5V) Applications High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use 文件：474.45 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRLR8726TR	文件：479.65 Kbytes Page：7 Pages	丝印：IRLR8726；Package：TO-252；N-Channel MOSFET Features VDS (V)=30V RDS(ON) 文件：479.65 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
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IRLR8726TR	文件：479.65 Kbytes Page：7 Pages	丝印：IRLR8726；Package：TO-252；N-Channel MOSFET Features VDS (V)=30V RDS(ON) 文件：479.65 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRLR8726	文件：479.65 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel MOSFET Features VDS (V)=30V RDS(ON) 文件：479.65 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRLR8726PBF	文件：341 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free ● RoHS compliant Applications ● High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power ● High Frequency Isolated DC-DC Converters 文件：341 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR8726TRPBF	文件：341 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free ● RoHS compliant Applications ● High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power ● High Frequency Isolated DC-DC Converters 文件：341 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR8726	文件：336.41 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLR8726	文件：1.22684 Mbytes Page：11 Pages	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power 文件：1.22684 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRLR8726PBF	文件：360.21 Kbytes Page：11 Pages	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power 文件：360.21 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
IRLR8726
功能描述：
MOSFET MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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