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IRLL110TR	文件：694.08 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRLL110；Package：SOT-223；100V N-Channel MOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance •VDS(V)=100V •RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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IRLL110TR

文件：694.08 Kbytes

Page：8 Pages

Marking：IRLL110；Package：SOT-223；100V N-Channel MOSFET

FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance •VDS(V)=100V •RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

详细参数

型号：
IRLL110
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRLL110供应商更新时间2025-7-25 16:12:00

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