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IRLL110TR中文资料友台半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRLL110TR

功能描述

100V N-Channel MOSFET

丝印标识

IRLL110

封装外壳

SOT-223

文件大小

694.08 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

UMW

中文名称

友台半导体

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数据手册

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更新时间

2026-3-9 22:58:00

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IRLL110TR规格书详情

FEATURES

• Surface mount

• Available in tape and reel

• Dynamic dV/dt rating

• Repetitive avalanche rated

• Logic-level gate drive

• RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V

• Fast switching

• Material categorization: for definitions of compliance

•VDS(V) = 100V

•RDS(ON) < 54mΩ (V GS = 5V)

• RDS(ON) < 76mΩ (V GS = 4V)

产品属性

  • 型号:

    IRLL110TR

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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