选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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IRTO-252 |
100000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRLR3410TRPBF,绝对正品,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
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INFINEON原厂封装 |
10000 |
新批次 |
一手货源原装现货,市场可送货,可含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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IRTO-252 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
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IRTO-252 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRTO-252 |
20 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市云迪科技有限公司7年
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IRTO252 |
10000 |
22+ |
原装正品优势供应 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
20 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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INFINEONTECHNOLOGIESAGDPAK |
160465 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
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10000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
16499 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
20767 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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VBsemi(微碧)TO-252 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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IRTO-252 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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INFINEON英飞凌TO-252 |
1624 |
11+10+ |
只做原装正品 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
8157 |
21+ |
全新、原装 |
IRLR3410采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRLR3410图片
IRLR3410TRPBF价格
IRLR3410TRPBF价格:¥1.9518品牌:International
生产厂家品牌为International的IRLR3410TRPBF多少钱,想知道IRLR3410TRPBF价格是多少?参考价:¥1.9518。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRLR3410TRPBF批发价格及采购报价,IRLR3410TRPBF销售排行榜及行情走势,IRLR3410TRPBF报价。
IRLR3410TRPBF资讯
IRLR3410TRPBF
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IRLR3410TRLPBF
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IRLR3410TRLPBF代理,有原装现货的,期待您的咨询 IR代理 TO-252
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IRLR3410,分立半导体产品
深圳市宏世佳电子科技现货库存
IRLR3410TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR3410制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK
IRLR3410CPBF功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR3410PBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR3410TR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR3410TRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR3410TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR3410TRPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR3410TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 100 V 79 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
IRLR3410TRPBF-EL制造商:International Rectifier
IRLR3410TRR功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件