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深圳市煦洪科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-252-2(DPAK)

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深圳市富芯乐电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252

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深圳市胜彬电子有限公司

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深圳市恒达亿科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-252

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IRLR3410TRPBF价格

IRLR3410TRPBF价格：￥1.9518品牌：International

生产厂家品牌为International的IRLR3410TRPBF多少钱，想知道IRLR3410TRPBF价格是多少？参考价：￥1.9518。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRLR3410TRPBF批发价格及采购报价，IRLR3410TRPBF销售排行榜及行情走势，IRLR3410TRPBF报价。

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IRLR3410TRLPBF代理,有原装现货的,期待您的咨询 IR代理 TO-252

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IRLR3410，分立半导体产品

深圳市宏世佳电子科技现货库存

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IRLR3410制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK

IRLR3410CPBF功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLR3410PBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR3410TR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IRLR3410TRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLR3410TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR3410TRPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR3410TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 100 V 79 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA

IRLR3410TRR功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLR3410TRRPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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