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IRFB4310Z	文件：838.67 Kbytes Page：9 Pages	Marking：IRFB4310Z；Package：TO-220；100 V N-Channel MOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Lead-Free Halogen-Free VDS=100V ID=120A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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IRFB4310Z

文件：838.67 Kbytes

Page：9 Pages

Marking：IRFB4310Z；Package：TO-220；100 V N-Channel MOSFET

Benefits *ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness *FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA *EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability *Lead-Free *Halogen-Free *VDS=100V *ID=120A *RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

详细参数

型号：
IRFB4310Z
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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