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IRFH9310	文件：771.83 Kbytes Page：6 Pages	Marking：IRFH9310；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheIRFH9310usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-30VID=-90A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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IRFH9310

文件：771.83 Kbytes

Page：6 Pages

Marking：IRFH9310；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description TheIRFH9310usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-30VID=-90A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI

详细参数

型号：
IRFH9310
功能描述：
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -40A 4.6mOhm -4.5V capble
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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