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IRFH9310	文件：771.83 Kbytes Page：6 Pages	丝印：IRFH9310；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRFH9310 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = -30V ID =-90A RDS(ON) 文件：771.83 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRFH9310	文件：771.83 Kbytes Page：6 Pages	丝印：IRFH9310；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRFH9310 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = -30V ID =-90A RDS(ON) 文件：771.83 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRFH9310	文件：296.42 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen 文件：296.42 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFH9310PBF	文件：296.42 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen 文件：296.42 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFH9310PBF	文件：296.42 Kbytes Page：9 Pages	Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application 文件：296.42 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFH9310PBF_15	文件：296.42 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen 文件：296.42 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFH9310TRPBF	文件：296.42 Kbytes Page：9 Pages	Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application 文件：296.42 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFH9310
功能描述：
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -40A 4.6mOhm -4.5V capble
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRFH9310	INFINEON/英飞凌	25+	SuperSO85x6	20300	INFINEON/英飞凌原装特价IRFH9310即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多IRFH9310供应商更新时间2025-9-21 14:14:00

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