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IRF830S	文件：175.73 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRF830S	文件：2.01524 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=500V ●ID=4.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
IRF830S	文件：800.89 Kbytes Page：8 Pages	Available in Tape and Reel DESCRIPTION TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2PAK(TO-263)issuitableforhighcurrentapplicationsbecause	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF830S	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830S	文件：179.79 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830SPBF	文件：329.34 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRF830STRLPBFA	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
IRF830S
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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