选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TO-252 |
20770 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
148 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
4000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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INFINEONNA |
37388 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263-2 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
457 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
18276 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市尚品诚源电子有限公司3年
留言
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INFINEONN/A |
26160 |
23+ |
全新原现 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
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INFINEONTO-263 |
5000 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
100 |
20+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
27225 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
29746 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
1600 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
100 |
18+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
IRF9530NS采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF9530NS图片
IRF9530NSPBF价格
IRF9530NSPBF价格:¥2.7931品牌:INTERNATIONAL
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IRF9530NSTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9530NS功能描述:MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9530NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF9530NSPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9530NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 14A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF9530NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9530NSTRR功能描述:MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9530NSTRRPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube