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IRFF310	文件：1.00373 Mbytes Page：3 Pages	1.35A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET 1.35A,400V,3.600Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFF310	文件：326.13 Kbytes Page：7 Pages	1.35A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET 1.35A,400V,3.600Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETs	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF310	文件：129.419 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?쏷RANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance.TheHEXFETtransistorsalsofea	IRF International Rectifier	IRF
IRFF310	文件：16.64 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFR310	文件：173.78 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=3.6ohm,Id=1.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR310	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR310	文件：332.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR310	文件：3.93235 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR310	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR310	文件：835 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR310,SiHFR310) •Straightlead(IRFU310,SiHFU310) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFF310
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 400V 1.25A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 400V 1.25A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET, 400V, 1.25A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
1.25A; Drain Source Voltage
Vds：
400V; On Resistance
Rds(on)：
3.6ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

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