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IRFH5004TR2PBF	文件：247.26 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET FeaturesandBenefits Features LowRDSon(≤2.6mΩ) LowThermalResistancetoPCB(≤0.8°C/W) 100Rgtested LowProfile(≤0.9mm) Industry-StandardPinout CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques RoHSCompliantContainingnoLead,noBromideandnoHalo	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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制造商&上传企业

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IRFH5004TR2PBF

文件：247.26 Kbytes

Page：8 Pages

HEXFET Power MOSFET

FeaturesandBenefits Features LowRDSon(≤2.6mΩ) LowThermalResistancetoPCB(≤0.8°C/W) 100Rgtested LowProfile(≤0.9mm) Industry-StandardPinout CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques RoHSCompliantContainingnoLead,noBromideandnoHalo

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

详细参数

型号：
IRFH5004TR2PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 40V 100A 2.6mOhm 73nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFH5004TR2PBF供应商更新时间2024-4-29 16:42:00

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