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IRFD014	文件：171.17 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD014	文件：2.58557 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD014	文件：868.89 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Forautomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD014	文件：2.02521 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD014	文件：2.02521 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD014_V01	文件：868.89 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Forautomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD014PBF	文件：2.58557 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD014_10	文件：2.02521 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD014PBF	文件：2.02521 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD014PBF	文件：868.89 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFD014
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRFD014	IR	23+	HEXDIP	19526		询价
深圳市一线半导体有限公司	IRFD014		24+	DIP-4	320		询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRFD014	IR	23+	DIP-4	1220	全新原装现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRFD014	IR	23+	DIP-4	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRFD014	IR	2020+	DIP-4	1000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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更多IRFD014供应商更新时间2025-5-28 16:55:00

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