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IRFC350	文件：45.43 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFM350	文件：20.74 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM350	文件：203.26 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) PartNumberRDS(on)ID IRFM3500.315Ω14A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransis	IRF International Rectifier	IRF
IRFM350	文件：244.38 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN350	文件：212.67 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=400V,Rds(on)=0.315ohm,Id=14A) RDS(on)0.315Ω ID14A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establi	IRF International Rectifier	IRF
IRFN350	文件：276.84 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP350	文件：57.28 Kbytes Page：7 Pages	16A,400V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP350	文件：161.9 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.30ohm,Id=16A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP350	文件：215.5 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●ImprovedInducttiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3Ppackage	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP350	文件：1.56932 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP350	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP350	文件：637.84 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFP350	文件：1.5891 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP350	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRFP350	文件：1.61166 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP350	文件：877.55 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP350A	文件：232.47 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=400V ♦LowRDS(ON):0.254Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFP350A	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=17A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP350FI	文件：70.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP350LC	文件：333.88 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.30ohm,Id=16A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF

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