| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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IRTO-263 |
2654 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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8年
留言
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ON=FREESCLNA |
6500 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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16年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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3年
留言
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IRTO-263 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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12年
留言
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IRTO263 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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12年
留言
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IRTO263 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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13年
留言
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IRTO263 |
1709 |
21+ |
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5年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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12年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
25+ |
全新原装现货,价格优势 |
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6年
留言
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IRTO-263 |
16060 |
06+ |
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11年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
25+ |
全新原装现货 价格优势 |
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13年
留言
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irN/A |
6980 |
26+ |
原装现货,可开13%税票 |
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14年
留言
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IRTO263 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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13年
留言
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IRQFP |
3200 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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17年
留言
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IRD2-Pak |
8866 |
24+ |
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18年
留言
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IR |
94 |
25+ |
公司优势库存 热卖中! |
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10年
留言
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IR原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
IRF644S采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF644S图片
IRF644SPBF价格
IRF644SPBF价格:¥7.8767品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRF644SPBF多少钱,想知道IRF644SPBF价格是多少?参考价:¥7.8767。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF644SPBF批发价格及采购报价,IRF644SPBF销售排行榜及行情走势,IRF644SPBF报价。
IRF644S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF644S功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644STRL功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644STRR功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF644STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
























