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IRF644S	文件：219.91 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast swtiching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectivieness. ● Surface Mount ● Available in Tape & Reel ● Dynamic dv/dt Rating ● Repetitive Avalanche 文件：219.91 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF644S	文件：186.97 Kbytes Page：8 Pages	Available in tape and reel 文件：186.97 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF644SPBF	文件：3.37253 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast swtiching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectivieness. ● Surface Mount ● Available in Tape & Reel ● Dynamic dv/dt Rating ● Repetitive Avalanche 文件：3.37253 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF644SPBF	文件：249.24 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：249.24 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF644STRLPBFA	文件：249.24 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：249.24 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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IRF644S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface-mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dv/dt rating;	Vishay 威世	Vishay
IRF644S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF644S
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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