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IRF6617TR1 | HEXFET Power MOSFET Description The IRF6617 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：170.6 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
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详细参数
- 型号：
IRF6617TR1
- 功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
DirectFET |
32360 |
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LCC |
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IR |
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原厂封装 |
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IOR |
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LCC |
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24+ |
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IC |
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普通 |
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INFINEON |
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IR |
1923+ |
NA |
35689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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更多IRF6617TR1供应商
更新时间2025-10-5 14:14:00
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- STM32F372VBH6
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