| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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原装IRDirectFET |
3030 |
06+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRDIRECTFET |
4000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRQFN |
7906200 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌DIRECTFET |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRDIRECTFET |
24000 |
10+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌DIRECTFET |
24000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRDirectFET |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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IRDirectFET |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IRDIRECTFET |
30000 |
1436+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MX |
9600 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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原装IRDirectFET |
3030 |
06+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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原装IRDirectFET |
3030 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IRDirectFET |
62901 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOT223 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
875 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市水星电子有限公司3年
留言
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InfineonDIRECTFET? |
41347 |
23+ |
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单。 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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原装IRDirectFET |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SMD |
68900 |
IOR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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IRF6619图片
IRF6619价格
IRF6619价格：￥10.1473品牌：International
生产厂家品牌为International的IRF6619多少钱，想知道IRF6619价格是多少？参考价：￥10.1473。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF6619批发价格及采购报价，IRF6619销售排行榜及行情走势，IRF6619报价。
IRF6619中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6619功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6619PBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
IRF6619TR1功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6619TR1PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6619TRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
