| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌DIRECTFET |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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7年
留言
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原装IRDirectFET |
3030 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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3年
留言
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原装IRDirectFET |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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6年
留言
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IRDirectFET |
4424 |
23+ |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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11年
留言
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IRDirectFET |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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11年
留言
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IRSMD |
6540 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
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17年
留言
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IRDirectFETtradeIso |
7500 |
24+ |
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IRDirectFETMX |
10000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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6年
留言
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INFINEON-英飞凌SMD.贴片 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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IRDirectFET |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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IRDirectFET |
7000 |
23+ |
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12年
留言
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IORSMD |
2600 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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13年
留言
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原装IRDirectF |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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9年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MX |
9600 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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10年
留言
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IRDirectFET |
62901 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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5年
留言
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IRDirectFET |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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5年
留言
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IRDirectFET |
4500 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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6年
留言
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INFINEONDIRECTFET? |
1675 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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IRDirectFET |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
IRF6619采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF6619图片
IRF6619价格
IRF6619价格:¥10.1473品牌:International
生产厂家品牌为International的IRF6619多少钱,想知道IRF6619价格是多少?参考价:¥10.1473。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF6619批发价格及采购报价,IRF6619销售排行榜及行情走势,IRF6619报价。
IRF6619中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6619功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6619PBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
IRF6619TR1功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6619TR1PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6619TRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube






























