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IRF6619	文件：292.78 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET Description The IRF6619 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：292.78 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6619	文件：287.67 Kbytes Page：10 Pages	Low Profile (0.7 mm) 文件：287.67 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6619	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Profile (0.7 mm)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF66191PBF	文件：287.67 Kbytes Page：10 Pages	Low Profile (0.7 mm) 文件：287.67 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6619PBF	文件：295.96 Kbytes Page：10 Pages	DirectFET Power MOSFET 文件：295.96 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6619PBF	文件：296.92 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：296.92 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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详细参数

型号：
IRF6619
功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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