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IRF6633TR1PBF	文件：283.34 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6633PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout g 文件：283.34 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6633TR1	文件：263.73 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Description The IRF6633 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geom 文件：263.73 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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详细参数

型号：
IRF6633TR1PBF
功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH 7.0mOhm DirectFET 1.8Vgs
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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