| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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11年
留言
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IRSOP-8 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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6年
留言
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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3年
留言
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VISHAYTO-220 |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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3年
留言
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IRSOP8 |
10000 |
24+ |
只有原装 |
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11年
留言
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IRSOP-8 |
21410 |
26+ |
原装现货假一赔十 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOIC-8 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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INFINEONSOP8 |
6000 |
25+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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13年
留言
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INFINEONSOP-8 |
10000 |
25+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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12年
留言
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IRTO-220 |
26550 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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12年
留言
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IRSOP-8 |
25000 |
25+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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12年
留言
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IRSOP-8 |
22300 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
36316 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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16年
留言
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IRFSOP-8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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11年
留言
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IRSOP-8 |
20000 |
25+ |
原装 |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)SOIC-8 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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1年
留言
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INFINEONSOP8 |
18 |
25+ |
清仓价格交朋友全新原装正品原厂现货 |
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IRF7201PBF价格
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IRF7204TRPBF洪兴微电子商行 0755-82548551/13590219551
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IRF7205TRPBF 原装正品 假一赔十 深圳市美思星科技有限公司 陈小姐 0755-83785732
IRF7316TRPBF IR 2014 6000 面议 SOP IRF7380TRPBF IR 2014 6000 面议 SOP IRF7425TRPBF IR 2014 6000 面议 SOP IRF7842TRPBF IR 2014 6000 面议 SOP IRS2101STRPBF IR 2014 6000 面议 SOP IR2104STRPBF IR 2014 6000 面议 SOP IR2161STRPBF IR 2014 6000 面议 SOP IRF7240TRPBF IR 2014 6000 面议 SOP IRF7324TRPB
IRF7205TRPBF IRF7205 8-SOIC表面贴装 功率MOSFET P通道
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IRF7205TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF720功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF720_R4943功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7201功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7201HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC
IRF7201PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7201TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7201TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7201TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7201TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 2.5 W 19 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
IRF7202功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SO
