产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Id-连续漏极电流: - 4.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 71 ns
正向跨导 - 最小值: 6.6 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 4000
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 97 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 506.600 mg
