产能前置布局 锚定 AI 时代需求
台积电近期敲定重大产能扩张计划：将在嘉义科学园区先进封装二期、南部科学园区三期各投建两座先进封装厂，四座新厂的落地将大幅提升其后端封装产能储备，进一步加固全球半导体产业链中的核心话语权。
这一布局并非临时起意。在最新季度法人说明会上，台积电披露关键经营数据：2025 年先进封装业务已贡献约 10% 的营收占比，且未来增长速度将持续跑赢公司整体平均水平。资本支出层面，先进封装与掩膜制造等相关项目，将占据今年总资本开销的 10% 至 20%。尤为关键的是，台积电下一代前端先进制程将于 2027-2029 年大规模释放，此次提前扩充后端封装产能，正是为了实现前后端产能的精准匹配，避免出现 “前端有芯、后端无封装” 的瓶颈，保障产业链高效运转。
技术迭代破局 AI 驱动封装革命
AI 技术的爆发式增长，正倒逼芯片封装技术迎来颠覆性变革。传统封装方案已难以满足 AI 芯片对高性能、低功耗、高集成度的三重诉求，而先进封装通过 2.5D/3D 封装、扇出型封装、异质集成等创新路径，成为突破性能天花板的核心抓手。
以 AI 芯片的核心配套 —— 高带宽内存（HBM）为例，其性能发挥高度依赖 3D 堆叠与先进封装工艺。从硅通孔（TSV）制备、微凸点互连，到与 GPU、加速器的近距离协同，封装环节已从过去的 “成本中心” 彻底转变为决定芯片性能、良率与交付周期的关键变量。在自动驾驶、智能家居、医疗健康等物联网场景中，先进封装带来的小型化、高算力优势，正成为技术落地的重要支撑。
技术矩阵领跑 产能扩张提速
作为全球半导体制造龙头，台积电在先进封装领域早已构建起深厚的技术壁垒与产能优势，形成 CoWoS、SoIC、CoPoS 三大核心技术并行推进的格局。
CoWoS 技术：通过硅中介层实现芯片间高速数据传输，是当前 AI 高端芯片的主流封装方案。台积电规划到 2026 年底，将 CoWoS 月产能提升至 12.5 万片，较 2024 年底的 2.6-2.8 万片 / 月实现翻倍增长，这一举措将有效缓解当前 AI 芯片市场的供应紧张局面。
SoIC 技术：聚焦高密度垂直堆叠，能显著减小芯片体积、降低互连电容，提升功率效率。目前台积电正持续加码该技术产能，预计 2026 年底月产能将达 2 万片晶圆，适配高端芯片的集成化需求。
CoPoS 技术：作为 CoWoS 的下一代演进方向，通过 “化圆为方” 的创新思路，用面板级基板替代硅中介层，突破了传统晶圆封装的尺寸限制，可实现更高的面积利用率与更低的单位成本。台积电已启动 CoPoS 试点线，计划 2028 年底至 2029 年间在嘉义 AP7 厂区实现大规模量产，首家客户锁定英伟达。
值得关注的是，台积电在组织架构上也同步升级，计划任命首位先进封装 “总厂厂长”，对旗下所有先进封装厂区进行统筹管理，进一步提升产能调度与技术迭代效率。
全球布局落子 巩固产业霸权
此次四座新厂的投建，是台积电应对 AI 时代挑战的关键落子。除了中国台湾地区的产能扩张，台积电还在美国厂区推进先进封装设施建设，计划 2027 年底启动设备安装，逐步实现本地化封装能力，减少晶圆跨区域运输的时间与成本。
从技术研发到产能布局，再到组织架构优化，台积电正通过全链条发力，巩固其在先进封装领域的绝对领先地位。这场围绕 AI 算力底座的封装革命中，台积电的前瞻布局不仅将支撑自身业务增长，更将深刻影响全球半导体产业的竞争格局。
