选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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TECH PUBLIC(台舟)SOP-8 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRFSOP-8 |
8150 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRFSOP-8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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I&RSOP |
35680 |
23+ |
只做进口原装QQ:373621633 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
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IRSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRSOP-8 |
8903 |
2021+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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IR原厂原装 |
12000 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
120000 |
19+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
5000 |
19+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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IR货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOP-8 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
10613 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOIC-8 |
19905 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
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IRSOP-8 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
IRF7204采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF7204图片
IRF7204PBF价格
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IRF7204TRPBF资讯
IRF7204TRPBF洪兴微电子商行 0755-82548551/13590219551
IRF7204TRPBF洪兴微电子商行0755-82548551/13590219551
IRF7204TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7204功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7204PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7204TR功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7204TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7204TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -5.3A 60mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube