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IRF7204	文件：145.18 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-5.3A) Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRF7204	文件：1.04499 Mbytes Page：7 Pages	Marking：IRF7204；Package：SOP-8；- 30V P - Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralDescription: TheIRF7204isthesingleP-Channellogic enhancementmodepowerfieldeffecttransistorstoprovideexcellentRDS(on),lowgatechargeandlow gateresistance.It’supto-30Voperationvoltageiswell suitedinswitchingmodepowersupply,SMPS,notebookcomputerpowerm	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7204PBF	文件：243.67 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7204TR	文件：1.52782 Mbytes Page：7 Pages	Marking：IRF7204；Package：SOP-8；- 30V P - Channel Enhancement Mode MOSFET Features: RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7204PBF	文件：249.27 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF7204PBF_15	文件：249.27 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF7204TRPBF	文件：249.27 Kbytes Page：9 Pages	Adavanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7204TRPBF	文件：2.01837 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KRF7204	文件：71.17 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PM7204	文件：450.66 Kbytes Page：4 Pages	ETHERNETDC/DCCONVERTERS [ValorElectronics,Inc.]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

详细参数

型号：
IRF7204
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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