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IRF7204	文件：1.04499 Mbytes Page：7 Pages	丝印：IRF7204；Package：SOP-8；- 30V P - Channel Enhancement Mode MOSFET General Description: The IRF7204 is the single P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors to provide excellent RDS(on), low gate charge and low gate resistance. It’s up to -30V operation voltage is well suited in switching mode power supply, SMPS, notebook computer power m 文件：1.04499 Mbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7204TR	文件：1.52782 Mbytes Page：7 Pages	丝印：IRF7204；Package：SOP-8；- 30V P - Channel Enhancement Mode MOSFET Features: RDS(ON) 文件：1.52782 Mbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
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IRF7204TR	文件：1.52782 Mbytes Page：7 Pages	丝印：IRF7204；Package：SOP-8；- 30V P - Channel Enhancement Mode MOSFET Features: RDS(ON) 文件：1.52782 Mbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7204	文件：145.18 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-5.3A) Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for 文件：145.18 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7204PBF	文件：243.67 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：243.67 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7204PBF	文件：249.27 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：249.27 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7204PBF_15	文件：249.27 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：249.27 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7204TRPBF	文件：249.27 Kbytes Page：9 Pages	Adavanced Process Technology 文件：249.27 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7204TRPBF	文件：2.01837 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：2.01837 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
IRF7204
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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