| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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TO-92 |
4680 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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TECH PUBLIC(台舟)SOP-8 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRSOP8 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRSOP-8 |
8200 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
20000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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UMW(广东友台半导体)SOP-8 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
4000 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市星佑电子有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
6000 |
21+ |
全新原装 公司现货 价格优 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRSOP8 |
3118 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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UMW 友台SOP-8 |
78000 |
23+ |
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原装正品，实单请联系 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOP-8 |
4000 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
4000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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irSOP-8 |
10200 |
23+ |
原厂原装正品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRSO-8 |
25000 |
23+ |
代理原装现货,假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
27048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
10472 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
31316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
IRF7807采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7807图片
IRF7807ZTRPBF价格
IRF7807ZTRPBF价格：￥1.2519品牌：International
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IRF7807ZTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7807功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807A功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807AHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC
IRF7807APBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 12nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7807ATR功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807ATRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 6.6A 25mOhm 12nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7807D1制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:MOSFET / SCHOTTKY DIODE
IRF7807D1HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC
IRF7807D1PBF功能描述:MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 2.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7807D1TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
