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IRF7807	文件：239.99 Kbytes Page：8 Pages	Chip-Set for DC-DC Converters Description ThesenewdevicesemployadvancedHEXFETPowerMOSFETtechnologytoachieveanunprecedentedbalanceofon-resistanceandgatecharge.ThereducedconductionandswitchinglossesmakethemidealforhighefficiencyDC-DCConvertersthatpowerthelatestgenerationofmobilemicroproce	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807	文件：382.19 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7807；Package：SOP-8；Control FET for Notebook Processor Power Features Applications ControlFETforNotebookProcessorPower SynchronousRectifierMOSFETfor GraphicsCardsandPOLConvertersin NetworkingandTelecommunicationSystems VDS(V)=30V RDS(ON)13.8m(VGS=10V) RDS(ON)18.2m(VGS=4.5V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7807	文件：347.55 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7807A	文件：239.99 Kbytes Page：8 Pages	Chip-Set for DC-DC Converters Description ThesenewdevicesemployadvancedHEXFETPowerMOSFETtechnologytoachieveanunprecedentedbalanceofon-resistanceandgatecharge.ThereducedconductionandswitchinglossesmakethemidealforhighefficiencyDC-DCConvertersthatpowerthelatestgenerationofmobilemicroproce	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807D1	文件：165.81 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET / SCHOTTKY DIODE Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFETMOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807D1PBF	文件：168.05 Kbytes Page：8 Pages	FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFET®MOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807D2	文件：134.45 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET / SCHOTTKY DIODE Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFET®MOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807TR	文件：382.19 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7807；Package：SOP-8；Control FET for Notebook Processor Power Features Applications ControlFETforNotebookProcessorPower SynchronousRectifierMOSFETfor GraphicsCardsandPOLConvertersin NetworkingandTelecommunicationSystems VDS(V)=30V RDS(ON)13.8m(VGS=10V) RDS(ON)18.2m(VGS=4.5V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7807TR	文件：347.55 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7807；Package：SOP-8；MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7807V	文件：159.95 Kbytes Page：8 Pages	N Channel Application Specific MOSFET Description ThisnewdeviceemploysadvancedHEXFETPowerMOSFETtechnologytoachieveanunprecedentedbalanceofon-resistanceandgatecharge.ThereductionofconductionandswitchinglossesmakesitidealforhighefficiencyDC-DCConvertersthatpowerthelatestgenerationofmobilemicropr	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF7807
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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