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IRF7807Z	文件：206.29 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG Applications ● Control FET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Networking a 文件：206.29 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7807Z	文件：266.74 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG Applications ● Control FET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Networking a 文件：266.74 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7807ZTR	文件：266.74 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG Applications ● Control FET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Networking a 文件：266.74 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7807ZTRPBF	文件：1.7673 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 20V, ID= 10 A RDS(ON) 文件：1.7673 Mbytes 页数：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
IRF7807APBF	文件：203.37 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Chip-Set for DC-DC Converters 文件：203.37 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7807ATRPBF	文件：1.05287 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET 文件：1.05287 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF7807D1PBF	文件：173.42 Kbytes Page：8 Pages	Low Conduction Losses 文件：173.42 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7807D1PBF_15	文件：173.42 Kbytes Page：8 Pages	Low Conduction Losses 文件：173.42 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7807D2PBF	文件：107.73 Kbytes Page：8 Pages	FETKY??MOSFET / SCHOTTKY DIODE 文件：107.73 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7807PBF	文件：203.37 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Chip-Set for DC-DC Converters 文件：203.37 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

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技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@4.5V) max：
25.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
6.6A
ID (@ TA=25°C) max：
8.3A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
12.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
VGS max：
12.0V
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
2.9nC
Tj max：
150.0°C

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