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IRF7807Z	文件：206.29 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG Applications ● Control FET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Networking a 文件：206.29 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7807Z	文件：266.74 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG Applications ● Control FET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Networking a 文件：266.74 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7807ZTR	文件：266.74 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG Applications ● Control FET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Networking a 文件：266.74 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7807ZTRPBF	文件：1.7673 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 20V, ID= 10 A RDS(ON) 文件：1.7673 Mbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
IRF7807ZPBF	文件：214.5 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：214.5 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7807ZPBF	文件：220.06 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power 文件：220.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7807ZPBF	文件：220.06 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power 文件：220.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7807ZPBF_15	文件：220.06 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power 文件：220.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7807ZTRPBF	文件：220.06 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power 文件：220.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7807ZUPBF	文件：256.87 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：256.87 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7807ZTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
13.8 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
18.2 mΩ
ID @25°C max：
11 A
QG typ @4.5V：
7.2 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.35 V
VGS(th) max：
2.25 V
VGS(th)：
1.8 V
Technology：
IR MOSFET™

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