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IRF7807Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 经过充分验证的雪崩电压和电流\n• 超低的栅极阻抗;	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多IRF7807Z供应商更新时间2025-12-10 13:00:00