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IRF7807PBF	文件：203.37 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Chip-Set for DC-DC Converters 文件：203.37 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7807PBF	文件：208.68 Kbytes Page：8 Pages	N Channel Application Specific MOSFETs 文件：208.68 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7807PBF_15	文件：208.68 Kbytes Page：8 Pages	N Channel Application Specific MOSFETs 文件：208.68 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7807PBF-1	文件：262.74 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：262.74 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7807PBF-1_15	文件：262.74 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：262.74 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7807PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
30.0V
RDS (on)(@4.5V) max：
25.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
6.6A
ID (@ TA=25°C) max：
8.3A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
12.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
Tj max：
150.0°C
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
2.9nC
VGS max：
12.0V

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