| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
20000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRSOP8 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOIC-8 |
18655 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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IRSOP8 |
4570 |
0750+ |
进口原装公司现货,假一罚十! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IRSOP |
2679 |
22+ |
原装优势!绝对公司现货!可长期供货! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8SOIC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
留言
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IOR |
35000 |
22+ |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0NSO-8 |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRSOP-8 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IORSOP-8 |
24000 |
05+ |
向鸿原装正品/代理渠道/现货优势 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8SOIC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IORSOP8 |
8000 |
23+ |
全新原装现货,欢迎来电咨询 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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IORSOP-8 |
5000 |
22+ |
只做原装,假一赔十 15118075546 |
IRF7807A采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7807A图片
IRF7807APBF价格
IRF7807APBF价格：￥2.7789品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRF7807APBF多少钱，想知道IRF7807APBF价格是多少？参考价：￥2.7789。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF7807APBF批发价格及采购报价，IRF7807APBF销售排行榜及行情走势，IRF7807APBF报价。
IRF7807A中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7807A功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807AHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC
IRF7807APBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 12nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7807ATR功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807ATRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 6.6A 25mOhm 12nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
