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IRF7241	文件：983.69 Kbytes Page：9 Pages	丝印：IRF7241；Package：SOP-8；-40V P-Channel MOSFET Features • VDS (V) = -40V • ID = -6.2A(VGS = -10V) • RDS(ON) 文件：983.69 Kbytes 页数：9 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
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IRF7241	文件：178.9 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description New trench HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer wi 文件：178.9 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7241PBF	文件：170.78 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description New trench HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer wi 文件：170.78 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7241PBF	文件：176.28 Kbytes Page：9 Pages	Trench Technology 文件：176.28 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7241PBF_15	文件：176.28 Kbytes Page：9 Pages	Trench Technology 文件：176.28 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7241TRPBF	文件：1.14109 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：1.14109 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
IRF7241
功能描述：
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多IRF7241供应商更新时间2025-9-21 16:04:00

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