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IRF7342	文件：347.05 Kbytes Page：7 Pages	Marking：IRF7342；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=-55V RDS(ON)105m(VGS=-10V) Features RDS(ON)170m(VGS=-4.5V) TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharac	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
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Marking：IRF7342；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET

GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=-55V RDS(ON)105m(VGS=-10V) Features RDS(ON)170m(VGS=-4.5V) TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharac

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

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IRF7342TR

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UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

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IRF7342TR

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Marking：IRF7342；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET

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EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

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详细参数

型号：
IRF7342
功能描述：
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多IRF7342供应商更新时间2025-5-24 16:20:00

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