IRF7342中文资料IRF数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF7342
功能描述	Power MOSFET
文件大小	136.93 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	IRF
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更新时间	2026-2-10 8:58:00
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IRF7342规格书详情

VDSS = -55V

RDS(on) = 0.105Ω

描述 Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Generation V Technology

Ultra Low On-Resistance

Dual P-Channel Mosfet

Surface Mount

Available in Tape & Reel

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

产品属性

型号：
IRF7342
功能描述：
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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