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IRF7342规格书详情
特性 Features
Generation V Technology
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Lead-Free
VDS (V)=-55V
RDS(ON)< 105mΩ (VGS =-10V)
RDS(ON)
产品属性
- 型号：
IRF7342
- 功能描述：
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
HEXFET®
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
64 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
SOP8 |
1997 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
25+ |
PLCC28 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
IR |
2025+ |
SOP-8 |
4675 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
IOR |
05+ |
原厂原装 |
13451 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
IR |
24+/25+ |
897 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
IR |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
IR |
23+ |
NA |
300 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
SO8 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 |
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