| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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IRSMD |
4560 |
2023+ |
原厂正品现货供应 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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TO-92 |
200000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONNA |
39788 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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Infineon(英飞凌)SOIC-8_150mil |
7654 |
2307+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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INFINEONSOP-8 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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IRSOP |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
18446 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
53000 |
18+ |
一级代理/全新现货/长期供应! |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
29600 |
23+ |
一级分销商! |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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INFINEONSOP-8 |
15000 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市金睿扬电子科技有限公司1年
留言
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IRSOP8 |
58550 |
20+21+ |
金睿扬电子,只做全新原装正品可订货欢迎咨询QQ微信 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
11048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSO-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRSOP-8 |
65400 |
23+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
15316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
9986 |
20+ |
IRF7821采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRF7821PBF价格
IRF7821PBF价格：￥1.9835品牌：IR
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IRF7821TR资讯
IRF7821TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7821制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET
IRF7821GTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7821HR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7821PBF功能描述:MOSFET 30V N-CH HEXFET 9.1mOhms 9.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7821TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7821TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7821TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 2.5 W 9.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
